Дефекты кристаллической структуры инвертированных опалов на основе кобальта

Методом ультрамалоугловой дифракции синхротронного излучения (USAXS) было исследовано несовершенство кристаллической структуры инвертированных опалоподобных плёнок толщиной в n = 0.5, 2, 7, 17, 20 и 26 слоёв, где 1 слой соответствует плотноупакованным сферам в гексагональном порядке. При выполнении эксперимента производили сканирование обратного пространства в диапазоне углов [-65° ÷ +65°] с шагом 1°, в котором кроме дифракционных пиков, соответствующих ГЦК структуре, наблюдались дифракционные стержни, соответствующие сбивке в чередовании слоев вдоль кристаллографической оси [111]. Зависимость распределения интегральной интенсивности вдоль стержней для различных толщин образцов показала, что с увеличением числа слоёв количество стержней не уменьшается, что свидетельствует о неизбежном появлении дефектов структуры в процессе роста. Экспериментально показано, что ГЦК-структура не может быть индицирована в образцах с малым числом слоев (n < 3). Установлено, что большинство опалоподобных кристаллов и полученных из них инвертированных опалов c (n > 3) лишь на 65% состоят из ГЦК кристаллитов.