Метод малоуглового рассеяния синхротронного излучения в скользящей геометрии (GISAXS) впервые применен для исследования структуры приповерхностных слоев тонких металлических инвертированных опалов. На основании численной модели процесса рассеяния выделены вклады форм-фактора и структурного фактора в картину малоугловой дифракции. Взаимодополняющее использование SAXS- и GISAXS-методик позволило получить независимую информацию об объемных и поверхностных свойствах образцов, опреде- лить тип дефектов исследуемых структур. Результаты измерений были верифицированы с помощью атомно- силовой микроскопии.