Анализ дефектности опалоподобных фотонных кристаллов, синтезированных на проводящих подложках
Авторы:
А.В. Васильева, С.В. Григорьев, Н.А. Григорьева, А.А.Мистонов, К.С.Напольский, Н.А.Саполетова, А.В. Петухов, Д.В.Белов, А.А. Елисеев, Д.Ю.Чернышов, А.И.Окороков
Авторы из ОИКС:
Год публикации:
2010
Журнал:
ФТТ
N 5
vol. 52
1017-1020
Абстракт:
Методом малоугловой дифракции синхротронного излучения с микрорадианным разрешением исследованы тип и степень дефектности опалоподобных фотонных кристаллов на проводящих подложках. Показано, что самосборка полистирольных сфер методом вертикального осаждения на подложку слюда/Au приводит к образованию ГЦК-структуры, а на стеклянную подложку с проводящим покрытием In2O3(SnO2) — к случайной плотнейшей гексагональной упаковке.