Анализ дефектности опалоподобных фотонных кристаллов, синтезированных на проводящих подложках
                Авторы:
			
			
				А.В. Васильева, С.В. Григорьев, Н.А. Григорьева, А.А.Мистонов, К.С.Напольский, Н.А.Саполетова, А.В. Петухов, Д.В.Белов, А.А. Елисеев, Д.Ю.Чернышов, А.И.Окороков
			
		
                    Авторы из ОИКС:
			
			
		
                    Год публикации:
			
			
				2010
			
		
                    Журнал:
			
			
				ФТТ
				
					N 5
				
				
					vol. 52
				
				
					1017-1020
				
			
		
                    Абстракт:
			
			Методом малоугловой дифракции синхротронного излучения с микрорадианным разрешением исследованы тип и степень дефектности опалоподобных фотонных кристаллов на проводящих подложках. Показано, что самосборка полистирольных сфер методом вертикального осаждения на подложку слюда/Au приводит к образованию ГЦК-структуры, а на стеклянную подложку с проводящим покрытием In2O3(SnO2) — к случайной плотнейшей гексагональной упаковке.